一種TVS二極管的制作方法

本實(shí)用新型涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TVS二極管。

 

背景技術(shù)：

 

二極管的分類(lèi)有很多種，其中一種是TVS二極管(瞬態(tài)電壓抑制二極管)，該類(lèi)二極管在反向應用條件下，當所加電壓在一定范圍內變化時(shí)能迅速由原來(lái)的高阻抗變到很低的導通值，把電壓籍位到預定電壓，從而有效地消除對敏感系統設備、元件的危害。TVS可用于防雷擊、防過(guò)電壓、抗干擾、吸收浪涌功率等，是一種理想的保護器件�，F有技術(shù)中，通常采用紙源兩次擴散單個(gè)結的生產(chǎn)工藝生產(chǎn)TVS二極管芯片，其存在問(wèn)題是:使用單個(gè)擴散結生產(chǎn)TVS二極管芯片時(shí)，反向擊穿時(shí)，臺面的表面擊穿電壓低于體內擊穿電壓，造成表面擊穿先于體內擊穿，擊穿電流集中分布在臺面附近，臺面由硅與玻璃層組成，相互應力較大，造成反向擊穿漏電較大。因為漏電變大造成結溫升高，產(chǎn)品可靠性變差等問(wèn)題。還有，由于二極管焊接到電路板上時(shí)，需要將引線(xiàn)彎折，這樣就極易引起引線(xiàn)內部出現斷裂、松動(dòng)，使得產(chǎn)品失去電連接性能而成為廢品。

 

技術(shù)實(shí)現要素：

 

為了解決上述背景技術(shù)中提到的問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種TVS二極管。

 

為了實(shí)現上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

 

一種TVS二極管，包括殼體，所述殼體內設有芯片，且芯片由N型半導體和P型半導體組成，N型半導體和P型半導體的交界處形成PN結，所述N型半導體和P型半導體的外壁一側均焊接有合金層，且合金層的外壁一側通過(guò)金屬觸點(diǎn)焊接有引線(xiàn)，所述殼體內填充有保護膠，所述引線(xiàn)穿過(guò)殼體的內壁向外延伸，且引線(xiàn)的外壁套接有環(huán)形限位塊，殼體的內壁設有與環(huán)形限位塊對應的環(huán)形限位槽，所述殼體的下端外壁固定連接有兩個(gè)對稱(chēng)的凹槽，且凹槽內通過(guò)彈簧固定連接有凸起，所述殼體的上端外壁內設有與卡塊對應的卡接槽。

 

優(yōu)選地，所述N型半導體和P型半導體交界處形成的PN結的橫截面為鋸齒狀。

 

優(yōu)選地，所述保護膠為環(huán)氧樹(shù)脂制成。

 

優(yōu)選地，所述引線(xiàn)彎曲90度并穿過(guò)殼體的側壁向外延伸。

 

優(yōu)選地，所述殼體的外表面涂覆有阻燃層，且阻燃層包括水性聚氨酯阻燃涂料層。

 

與現有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：N型半導體和P型半導體交界處形成的PN結的橫截面為鋸齒狀，通過(guò)增加PN結的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力，而N型半導體和P型半導體的外壁一側均通過(guò)冶金熔焊有合金層，使得結構更加穩固，合金層的外壁一側通過(guò)金屬觸點(diǎn)連接有引線(xiàn)，由于引線(xiàn)彎曲90度并穿過(guò)殼體的側壁向外延伸，無(wú)需再次人工彎曲，減少引線(xiàn)的彎曲損耗，同時(shí)在引線(xiàn)的外壁套接有環(huán)形限位塊，能夠有效避免引線(xiàn)出現拉扯時(shí)而導致芯片的拉傷和斷裂，同時(shí)將卡塊插接至另一個(gè)二極管上的卡接槽內，實(shí)現多個(gè)二極管的串聯(lián)使用。本實(shí)用新型結構簡(jiǎn)單，易操作，實(shí)現了多個(gè)二極管的串聯(lián)使用，同時(shí)有效避免了芯片的斷裂和損傷。

 

附圖說(shuō)明

 

圖1為本實(shí)用新型的結構示意圖；

 

圖2為本實(shí)用新型A結構放大示意圖。

 

圖中：殼體1、保護膠2、N型半導體3、P型半導體4、合金層5、金屬觸點(diǎn)6、引線(xiàn)7、環(huán)形限位塊8、環(huán)形限位槽9、阻燃層10、卡接槽11、卡塊12、凸起13、凹槽14、彈簧15。

 

具體實(shí)施方式

 

下面將結合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

 

參照圖1-2，一種TVS二極管，包括殼體1，殼體1內設有芯片，且芯片由N型半導體3和P型半導體4組成，N型半導體3和P型半導體4的交界處形成PN結，N型半導體3和P型半導體4的外壁一側均焊接有合金層5，且合金層5的外壁一側通過(guò)金屬觸點(diǎn)6焊接有引線(xiàn)7，殼體1內填充有保護膠2，引線(xiàn)7穿過(guò)殼體1的內壁向外延伸，且引線(xiàn)7的外壁套接有環(huán)形限位塊8，殼體1的內壁設有與環(huán)形限位塊8對應的環(huán)形限位槽9，殼體1的下端外壁固定連接有兩個(gè)對稱(chēng)的凹槽14，且凹槽14內通過(guò)彈簧15固定連接有凸起13，殼體1的上端外壁內設有與卡塊12對應的卡接槽11。

 

具體的，N型半導體3和P型半導體4交界處形成的PN結的橫截面為鋸齒狀，通過(guò)增加PN結的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力。

 

具體的，保護膠2為環(huán)氧樹(shù)脂制成，能夠起到有效的保護作用。

 

具體的，引線(xiàn)7彎曲90度并穿過(guò)殼體1的側壁向外延伸，無(wú)需再次人工彎曲，減少引線(xiàn)7的彎曲損耗。

 

具體的，殼體1的外表面涂覆有阻燃層10，且阻燃層10包括水性聚氨酯阻燃涂料層，可以阻止二極管發(fā)生自燃現象，提高了二極管的安全性。

 

工作原理：本實(shí)用新型中，N型半導體3和P型半導體4交界處形成的PN結的橫截面為鋸齒狀，通過(guò)增加PN結的面積，提升整體芯片的性能，提高耐擊穿能力，而N型半導體3和P型半導體4的外壁一側均通過(guò)冶金熔焊有合金層5，使得結構更加穩固，合金層5的外壁一側通過(guò)金屬觸點(diǎn)6連接有引線(xiàn)7，由于引線(xiàn)7彎曲90度并穿過(guò)殼體1的側壁向外延伸，無(wú)需再次人工彎曲，減少引線(xiàn)7的彎曲損耗，同時(shí)在引線(xiàn)7的外壁套接有環(huán)形限位塊8，能夠有效避免引線(xiàn)7出現拉扯時(shí)而導致芯片的拉傷和斷裂，同時(shí)將卡塊12插接至另一個(gè)二極管上的卡接槽11內，實(shí)現多個(gè)二極管的串聯(lián)使用。

 

以上，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內，根據本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實(shí)用新型的保護范圍之內。

 

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