變容二極管用途材料多為硅或砷化鎵單晶，并采用外延工藝技術(shù)。反偏電壓愈大，則結電容愈小。變容二極管具有與襯底材料電阻率有關(guān)的串聯(lián)電阻。對于不同用途，應選用不同C和Vr特性的變容二極管，如有專(zhuān)用于諧振電路調諧的電調變容二極管、適用于參放的參放變容二極管以及用于固體功率源中倍頻、移相的功率階躍變容二極管等。

變容二極管(Varactor Diodes)又稱(chēng)"可變電抗二極管"，是利用pN結反偏時(shí)結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結電容減小、反之結電容增大，變容二極管的電容量一般較小，其最大值為幾十皮法到幾百皮法，最大電容與最小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧回路中作可變電容。

主要參量是：零偏結電容、零偏壓優(yōu)值、反向擊穿電壓、中心反向偏壓、標稱(chēng)電容、電容變化范圍（以皮法為單位）以及截止頻率等。

變容二極管屬于反偏壓二極管，改變其PN結上的反向偏壓，即可改變PN結電容量。反向偏壓越高，結電容則越少，反向偏壓與結電容之間的關(guān)系是非線(xiàn)性的。

變容二極管也稱(chēng)為壓控變容器，是根據所提供的電壓變化而改變結電容的半導體。也就是說(shuō)，作為可變電容器，可以被應用于FM調諧器及TV調諧器等諧振電路和FM調制電路中。

用于自動(dòng)頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極管稱(chēng)變容二極管。通過(guò)施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發(fā)生變化。因此，被使用于自動(dòng)頻率控制、掃描振蕩、調頻和調諧等用途。通常，雖然是采用硅的擴散型二極管，但是也可采用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊制作的二極管，因為這些二極管對于電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料制作。

變容二極管是利用PN結之間電容可變的原理制成的半導體器件，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。

變容二極管有玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）和無(wú)引線(xiàn)表面封裝等多種封裝形式。通常，中小功率的變容二極管采用玻封、塑封或表面封裝，而功率較大的變容二極管多采用金封。

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